אין GaAs סעמיקאַנדאַקטער מאַטעריאַלס, די עלעקטראָנס זענען פאָרשטעלן אין צוויי שטאַטן ווי הויך מאַסע נידעריק גיכקייַט און נידעריק מאַסע הויך גיכקייַט. לויט דער פאָדערונג פון אַ טויגן עלעקטריק פעלד, די עלעקטראָנס זענען געצווונגען צו מאַך פון אַ נידעריק מאַסע שטאַט צו אַ הויך מאַסע שטאַט. אין דעם ספּעציפיש שטאַט, עלעקטראָנס קענען פאָרעם אַ גרופּע און מאָוועס מיט אַ קאָנסיסטענט קורס וואָס קענען פירן צו לויפן קראַנט אין אַ סעריע פון פּאַלסיז. אַזוי דאָס איז באקאנט ווי Gunn Effect וואָס איז געניצט דורך Gunn דיאָדעס. די דייאָודז זענען די בעסטער און רובֿ אָפט בנימצא דעוויסעס פון די TED משפּחה (טראַנספערד עלעקטראָן דעוויסעס). די טייפּס פון דייאָודז זענען געניצט ווי דק צו מייקראַווייוו קאַנווערטערז מיט די נעגאַטיוו קעגנשטעל פֿעיִקייטן פון פאַרנעם גאַאַס (גאַליום אַרסענידע) און זיי דאַרפֿן אַ טיפּיש, סטאַביל וואָולטידזש מאַכט צושטעלן, ווייניקער ימפּידאַנס אַזוי אַז קאָמפּלעקס סערקאַץ קענען זיין ילימאַנייטאַד. דער אַרטיקל דיסקוסירט אַן איבערבליק פון אַ גונן דיאָדע. וואָס איז אַ גונן דיאָדע? גונן דייאָוד איז געמאכט מיט N-טיפּ סעמיקאַנדאַקטער ווייַל עס קאַמפּרייזיז מערהייַט אָפּצאָל קאַריערז ווי עלעקטראָנס. דעם דייאָוד ניצט די נעגאַטיוו קעגנשטעל פאַרמאָג צו פּראָדוצירן קראַנט אין הויך פריקוואַנסיז. דער דייאָוד איז דער הויפּט געניצט צו פּראָדוצירן מייקראַווייוו סיגנאַלז אַרום 1 GHz און רף פריקוואַנסיז אַרום 100 GHz. גאַן דיאָדעס זענען אויך באקאנט ווי TED (טראַנספערד עלעקטראָן דעוויסעס). אפילו כאָטש עס איז אַ דייאָוד, די דעוויסעס טאָן ניט האָבן אַ פּן קנופּ אָבער אַרייַננעמען אַ ווירקונג גערופן די Gunn Effect.

Gunn Diode דעם ווירקונג איז געווען געהייסן באזירט אויף די ינווענטאָר ניימלי JB Gunn. די דייאָודז זענען זייער פּשוט צו נוצן, זיי פאָרעם אַ נידעריק-פּרייַז טעכניק צו דזשענערייט מייקראַווייוו רף סיגנאַלז, אָפט געשטעלט אין אַ וואַוועגייד צו מאַכן אַן גרינג רעזאַנאַנט קאַוואַטי. די Gunn דייאָוד סימבאָל איז געוויזן אונטן.

סימבאָל Gunn דיאָדע קאַנסטראַקשאַן די פאַבריקיישאַן פון די Gunn דייאָוד קענען זיין געטאן מיט אַ N-טיפּ סעמיקאַנדאַקטער. די מערסט אָפט געניצט מאַטעריאַלס זענען גאַאַס (גאַליום אַרסענידע) און ינפּ (ינדיום פאָספידע) און אנדערע מאַטעריאַלס זענען געניצט ווי Ge, ZnSe, InAs, CdTe, InSb. טראַנספערד עלעקטראָן איז פשוט צונעמען צו עלעקטראָנס & נישט האָלעס געפֿונען אין אַ פּ-טיפּ מאַטעריאַל. אין דעם מיטל, עס זענען 3 הויפּט מקומות וואָס זענען גערופֿן שפּיץ, דנאָ און מיטל געביטן.

קאַנסטראַקשאַן דער גענעראַל אופֿן צו פּראָדוצירן דעם דייאָוד איז צו וואַקסן און עפּיטאַקסיאַל שיכטע אויף אַ דידזשענערייטיד n + סאַבסטרייט. די גרעב פון די אַקטיוו שיכטע ריינדזשאַז פון ווייניק מייקראַנז צו 100 מייקראַנז און די דאָפּינג מדרגה פון דעם שיכטע ריינדזשאַז פון 1014cm-3 צו 1016cm-3. אָבער דעם דאָפּינג מדרגה איז באטייטיק נידעריק וואָס איז געניצט פֿאַר די שפּיץ און דנאָ מקומות פון די מיטל. באַזירט אויף די פארלאנגט אָפטקייַט, די גרעב וועט טוישן. די דעפּאַזישאַן פון די n + שיכטע קענען זיין דורכגעקאָכט עפּיטאַקסיאַל אַנדערש דאָפּט דורך יאָן ימפּלאַנטיישאַן. ביידע די געביטן פון דעם מיטל ווי שפּיץ און דנאָ זענען דיפּלי דאָפּט צו צושטעלן n + מאַטעריאַל. דעם גיט די נייטיק הויך קאַנדאַקטיוואַטי מקומות וואָס זענען פארלאנגט פֿאַר די קאַנעקשאַנז צו די מיטל. בכלל, די דעוויסעס זענען געשטעלט אויף קאַנדאַקטינג שטיצן צו וואָס די קשר פון אַ דראָט איז געמאכט. די שטיצן קענען אויך אַרבעטן ווי אַ היץ זינקען וואָס איז געפערלעך צו באַזייַטיקן די היץ. די אנדערע וואָקזאַל פֿאַרבינדונג פון די דיאָדע קענען זיין געמאכט דורך אַ גאָלד קשר וואָס איז דאַפּאַזיטיד אויף די שפּיץ ייבערפלאַך. דאָ די גאָלד קשר איז נייטיק רעכט צו זייַן הויך קאַנדאַקטיוואַטי און קאָרעוו פעסטקייַט. בשעת מאַנופאַקטורינג, די מאַטעריאַל מיטל זאָל זיין כיסאָרן-פֿרייַ & אויך אַרייַננעמען אַ גאָר קאָנסיסטענט קייט פון דאָפּינג. גאַנן דיאָדע וואָרקינג די ארבעטן פּרינציפּ פון אַ גאַן דייאָוד דער הויפּט דעפּענדס אויף די גאַן אַפעקט. אין עטלעכע מאַטעריאַלס ווי InP & GaAs, אַמאָל אַ שוועל מדרגה איז אַטשיווד דורך אַן עלעקטריק פעלד אין דעם מאַטעריאַל, די מאָביליטי פון עלעקטראָנס וועט פאַרמינערן קאַנקעראַנטלי. ווען די עלעקטריק פעלד ענכאַנסיז דעמאָלט נעגאַטיוו קעגנשטעל וועט זיין דזשענערייטאַד. אַמאָל די ינטענסיטי פון אַן עלעקטריק פעלד פֿאַר גאַאַס מאַטעריאַל ריטשאַז זייַן באַטייטיק ווערט אויף די נעגאַטיוו ילעקטראָוד, דעמאָלט נידעריק עלעקטראָן מאָביליטי געגנט קענען זיין געשאפן. דעם געגנט באוועגט דורך די דורכשניטלעך עלעקטראָנס גיכקייַט צו די + ווע ילעקטראָוד. גונן דייאָוד כולל אַ נעגאַטיוו קעגנשטעל געגנט אויף זייַן קוו קעראַקטעריסטיקס. אַמאָל די באַטייטיק ווערט איז אַטשיווד דורך די נעגאַטיוו GaAs ילעקטראָוד, עס וועט זיין אַ געגנט דורך די מאָביליטי פון נידעריק עלעקטראָנס. נאָך דעם, עס וועט יבעררוק צו די positive ילעקטראָוד. אַמאָל עס טרעפן אַ שטאַרק עלעקטריק פעלד פעלד דורך די positive ילעקטראָוד אויף די נעגאַטיוו ילעקטראָוד, דעמאָלט אַ סייקליק טיפּ פון דער געגנט פֿאַר ווייניקער עלעקטראָן מאָביליטי ווי געזונט ווי די הויך עלעקטריק פעלד וועט אָנהייבן צו שייַעך-שאַפֿן. די סיקליקאַל נאַטור פון דעם אינצידענט טראגט אַסאַליישאַנז מיט 100 GHz פריקוואַנסיז. אַמאָל דעם ווערט יקסידז, דעמאָלט אַסאַליישאַנז וועט אָנהייבן צו פאַרשווינדן געשווינד. קעראַקטעריסטיקס די גונן דייאָוד קעראַקטעריסטיקס ווייַזן אַ נעגאַטיוו קעגנשטעל געגנט אויף זייַן ווי כאַראַקטעריסטיש ויסבייג געוויזן אונטן. דער געגנט אַלאַוז די דייאָוד צו אַמפּלאַפיי סיגנאַלז, אַזוי עס קענען זיין געוויינט אין אַסאַלייטערז און אַמפּלאַפייערז. אָבער, די Gunn דייאָוד אַסאַלייטערז זענען מערסט אָפט געניצט. קעראַקטעריסטיקס פון Gunn Diode

קעראַקטעריסטיקס פון Gunn דיאָדע דאָ, די נעגאַטיוו קעגנשטעל געגנט אין די Gunn דייאָוד איז גאָרנישט אָבער אַמאָל די לויפן פון קראַנט ינקריסיז, די וואָולטידזש טראפנס. דער פאַרקערט פאַסע אַלאַוז די דייאָוד צו אַרבעטן ווי אַ אַסאַלייטער און אַ אַמפּלאַפייער. די לויפן פון קראַנט אין דעם דייאָוד ינקריסיז דורך די דק וואָולטידזש. אין אַ ספּעציפיש סוף, די לויפן פון קראַנט וועט אָנהייבן דיקריסינג, אַזוי דאָס איז גערופן אַ שפּיץ פונט אָדער שוועל פונט. אַמאָל די שוועל פונט איז קראָסט דעמאָלט די לויפן פון קראַנט וועט אָנהייבן רידוסינג צו שאַפֿן אַ נעגאַטיוו קעגנשטעל געגנט אין די דייאָוד. מאָדעללסאַ אַסאַליישאַן מאָדעבייאַס קרייַז אַסאַליישאַן מאָדעGunn אַסאַליישאַן מאָדע קענען זיין דיפיינד אין דער געגנט ווו די סאַכאַקל פון אָפטקייַט קענען זיין געמערט מיט אַ לענג פון 107 סענטימעטער / s. די סאַכאַקל פון דאָפּינג קענען זיין געמערט דורך די לענג איז העכער ווי 1012/cm2. אין דעם געגנט, די דייאָוד איז נישט סטאַביל רעכט צו דער פאָרמירונג פון סייקליק אָדער די הויך פעלד פעלד & די אַקיומיאַליישאַן שיכטע. סטאַביל אַמפּלאַפאַקיישאַן מאָדע דעם טיפּ פון מאָדע קענען זיין דיפיינד אין דער געגנט ווו נאָר די סאַכאַקל פון אָפטקייַט מאל לענג איז 107cm/sec & די דאָפּינג פּראָדוקט לענג פֿאַר צייט ריינדזשאַז פון 1011 & 1012/cm2. LSA אָסילאַטיאָן מאָדע דעם מין פון מאָדע קענען זיין דיפיינד אין די געגנט ווו די סאַכאַקל פון מאל לענג פון אָפטקייַט איז 107 סענטימעטער / s און די דאָפּינג קוואָטיענט קענען זיין צעטיילט דורך די אָפטקייַט ריינדזשאַז פון 2 × 104 & 2 × 105. פאָרורטייל קרייַז אָססילאַטיאָן מאָדע דעם מין פון מאָדע כאַפּאַנז פשוט אַמאָל עס איז אָדער לסאַ אָדער גאַן אַסאַליישאַן נעמט אָרט. אין אַלגעמיין, עס איז דער געגנט ווו די צייט ס לענג פּראָדוקט פון אָפטקייַט איז זייער קליין צו דערשייַנען אין די פיגור. אַמאָל די בייסינג פון אַ פאַרנעם דייאָוד איז געשען צו די שוועל דעמאָלט די דורכשניטלעך קראַנט טראפנס פּלוצלינג ווען די אַסאַליישאַן פון גאַן סטאַרץ. גונן דיאָדע אַסאַלייטער קרייַז די קרייַז דיאַגראַמע פון די גאַן דייאָוד אַסאַלייטער קרייַז איז געוויזן אונטן. די אַפּלאַקיישאַן פון די Gunn דייאָוד דיאַגראַמע ווייזט אַ נעגאַטיוו קעגנשטעל געגנט. די נעגאַטיוו קעגנשטעל דורך בלאָנדזשען קאַפּאַסאַטאַנס און פירן ינדאַקטאַנס קענען רעזולטאַט אין אַסאַליישאַנז.

Gunn Diode Oscillator Circuit אין רובֿ קאַסעס, די אָפּרו מין פון אַסאַליישאַנז וועט אַרייַננעמען ריזיק אַמפּליטוד וואָס וועט שעדיקן די דייאָוד. אַזוי אַ גרויס קאַפּאַסאַטער איז געניצט אַריבער די דייאָוד צו ויסמיידן דעם דורכפאַל. דער כאַראַקטעריסטיש איז דער הויפּט געניצט צו פּלאַן אַסאַלייטערז אין אויבערשטער פריקוואַנסיז וואָס קייט פון גהז צו טהז באַנדס. דאָ, די אָפטקייַט קענען זיין קאַנטראָולד דורך אַדינג אַ רעזאַנאַטאָר. אין די אויבן קרייַז, די לאַמפּט קרייַז עקוויוואַלענט איז אַ וואַוועגייד אָדער קאָואַקסיאַל טראַנסמיסיע שורה. דאָ, GaAs Gunn דיאָדעס זענען צוטריטלעך פֿאַר אָפּעראַציע וואָס ריינדזשאַז פון 10 GHz - 200 GHz ביי 5 מוו - 65 מוו מאַכט. די דיאָדעס קענען אויך זיין געוויינט ווי אַמפּלאַפייערז. אַדוואַנטאַגעס די אַדוואַנטאַגעס פון די Gunn דייאָוד אַרייַננעמען די פאלגענדע. די דייאָוד איז בנימצא אין קליין גרייס און פּאָרטאַטיוו. -סיגנאַל פאַרהעלטעניש (נסר) ווייַל עס איז פּראָטעקטעד פון ראַש אַנויאַנס. עס כולל הויך באַנדווידט דיסאַדוואַנטידזשיז די דיסאַדוואַנטידזשיז פון די גונן דייאָוד אַרייַננעמען די פאלגענדע. עפעקטיווקייַט איז נידעריק אונטער 10 גהז. קער אויף די וואָולטידזש פון דעם מיטל איז הויך פם ראַש איז הויך פֿאַר ספּעציפיש אַפּלאַקיישאַנז די קייט פון טונינג איז הויך אַפּפּליקאַטיאָנס די אַפּלאַקיישאַנז פון Gunn דייאָוד אַרייַננעמען די פאלגענדע. די זענען געניצט אין מיליטעריש, געשעפט ראַדאַר קוואלן און ראַדיאָ קאָמוניקאַציע. אין מיקראָעלעקטראָניקס, די דייאָודז זענען געניצט ווי שנעל קאַנטראָולינג דעוויסעס פֿאַר לאַזער שטראַל מאַדזשאַליישאַן. געוויינט אין פּאָליצייַ ראַדאַרס. די דייאָודז זענען אָנווענדלעך אין טאַטשאָמעטערס. עס איז געניצט ווי פּאָמפּע קוואלן אין פּאַראַמעטריק אַמפּלאַפייערז. & פוסגייער זיכערקייַט, אאז"ו ו די טייפּס פון דייאָודז זענען אויך גערופן TED (Transferred Electronic Device). בכלל, די זענען געניצט פֿאַר הויך-אָפטקייַט אַסאַליישאַנז. דאָ איז אַ קשיא פֿאַר איר, וואָס איז Gunn Effect?

פריער:וואָס איז גלאבאלע פּאַזישאַנינג סיסטעם? פארשטאנד גפּס

ווייַטער:וואָס איז האַלב אַדער: קרייַז דיאַגראַמע און די אַפּלאַקיישאַנז

לאז איבער א מעלדונג

אַרטיקל ליסטע

באַמערקונגען לאָודינג ...